AlN具有極高的臨界電場、高關態阻斷電壓、超低導通電阻、超快開關速度以及耐惡劣環境等優勢，成為制備耐高壓、高溫電力電子器件的理想選擇。AlN 器件的功率處理能力是SiC和GaN的15倍，因此被冠名為“下一代電力電子器件材料”，此外開發單晶低位錯密度AlN襯底（小于103 cm-2）是實現高質量富Al成分AlGaN 薄膜的基礎，在AlN同質襯底上生長富Al成分AlGaN 薄膜與藍寶石襯底相比可使電阻率極大下降。國外已在大功率晶體管、半導體激光器、大規模集成電路、固體繼電器和開關電源等大功率器件上得到成功應用。
大功率晶體管
大功率絕緣柵雙極晶體管(IGBT)是能源變換與傳輸的核心器件，俗稱電力電子裝置的“CPU”，作為國家戰略性新興產業，在軌道交通、智能電網、航空航天、電動汽車與新能源裝備等領域應用極廣。采用新型薄 AlN 襯底制作的大功率絕緣柵雙極晶體管 ( IGBT) 模塊，實現了高熱耗散能力和高功率密度。新能源汽車的核心技術包含動力電池、電機和控制系統。而在控制系統中需要使用大量的 IGBT，如電機控制系統、車載空調控制系統、充電系統等。IGBT 在新能源汽車中發揮了重要的作用，是新能源汽車中的核心器件之一。
半導體激光器
半導體激光器或激光二極管通過提供廉價且緊湊的激光器在我們的日常生活中發揮重要作用。 它們由要求納米級精度和復雜設計的復雜多層結構組成。其工作原理是通過一定的激勵方式，在半導體物質的能帶（導帶與價帶）之間，或者半導體物質的能帶與雜質（受主或施主）能級之間，實現非平衡載流子的粒子數反轉，當處于粒子數反轉狀態的大量電子與空穴復合時，便產生受激發射作用。AlN超寬禁帶，電子漂移飽和速度高，介電常數小等優勢在制作大功率半導體激光器方面有不錯應用前景。
大規模集成電路
大規模集成電路指含邏輯門數為100門~9999門（或含元件數1000個~99999個），在一個芯片上集合有1000個以上電子元件的集成電路。采用一定的工藝，把一個電路中所需的晶體管、二極管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起，制作在一小塊或幾小塊半導體晶片或介質基片上，然后封裝在一個管殼內，成為具有所需電路功能的微型結構；其中所有元件在結構上已組成一個整體。AlN可應用于大規模集成電路的制作中，為信息產業發展提供有力支撐。
逆變器
光伏逆變器的導熱型 AlN 功率模塊，這種采用 SiC 溝槽型 MOSFET 的半橋和全橋功率模塊使用了AlN襯底混合式集成柵驅動器，采用電-熱聯合仿真和Al熱沉，實現了高開關頻率和低熱阻，直接鍵合銅 AlN 襯底厚度為 0.63 mm，最大輸出功率2 kW，功率密度為3.14 kW/l，超高熱導率為170 W·m-1·K-1，為實現小型、高效電力電子系統提供了支撐。
功率開關
帶有等離子體增強原子層淀積 (PEALD) AlN/GaN異質結構的新型垂直 GaN 溝槽結構功率器件，新結構在完成n-高阻層-n GaN外延溝槽刻蝕之后采用PEALD法淀積了3~5 nm厚的AlN層，實現了具有高電子密度和遷移率的垂直2DEG溝道，閾值電壓為 2V，與傳統GaN MOSFET相比，這種新型器件實現了9倍跨導和9 kA/cm2的極高漏電流密度，在未來功率開關領域具有應用優勢。