2025年11月29-30日，由中國有色金屬學(xué)會寬禁帶半導(dǎo)體專業(yè)委員會主辦，奧趨光電技術(shù)（杭州）有限公司、北京大學(xué)、山東大學(xué)、西安電子科技大學(xué)、廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所共同承辦的超寬禁帶半導(dǎo)體AlN材料和器件專題研討會在浙江杭州順利召開。專委會顧問委員、中國科學(xué)院院士楊德仁教授，專委會主任委員沈波教授，國家自然科學(xué)基金委信息學(xué)部原副主任何杰研究員，專委會副主任委員康俊勇教授、陳敬教授、徐科研究員，專委會副主任委員兼秘書長陳志濤教授級高工，專委會委員郭煒研究員、黃森研究員、李忠輝研究員、劉雯高級副教授、潘堯波總經(jīng)理、孫錢研究員、孫曉娟研究員、唐寧教授、閆建昌研究員、張紀(jì)才教授、張紫輝教授、周弘教授，專委會副秘書長徐明升教授、張葦杭教授、趙維研究員等50余名來自高校、科研院所及產(chǎn)業(yè)界的專家受邀參會研討。

研討會開幕式由專委會副主任委員、廈門大學(xué)康俊勇教授主持。研討會會議主席、專委會委員、杭州電子科技大學(xué)、奧趨光電吳亮教授介紹了會議籌備背景及組織情況。專委會顧問委員、浙江大學(xué)楊德仁院士在致辭中指出，超寬禁帶半導(dǎo)體AlN材料與器件是目前國際上關(guān)注的熱點(diǎn)，舉辦此類聚焦細(xì)分領(lǐng)域的專題研討會，對我國AlN半導(dǎo)體的研究與產(chǎn)業(yè)發(fā)展具有重要的促進(jìn)作用。專委會主任委員、北京大學(xué)沈波教授在致辭中指出，近年來超寬禁帶AlN半導(dǎo)體技術(shù)迅速發(fā)展，具有廣闊的應(yīng)用與產(chǎn)業(yè)化前景，本次會議旨在圍繞AlN半導(dǎo)體材料與器件的核心科學(xué)問題與產(chǎn)業(yè)共性難題展開深入探討，加速推動AlN半導(dǎo)體的應(yīng)用與產(chǎn)業(yè)化發(fā)展。

會議設(shè)置專題報告與研討交流兩大環(huán)節(jié)。在29日下午的報告環(huán)節(jié)中，來自學(xué)術(shù)界與產(chǎn)業(yè)界的十余位專家圍繞AlN單晶生長、外延技術(shù)、光電器件、射頻與功率器件等前沿方向作了精彩報告。其中，在專委會副主任委員、香港科技大學(xué)陳敬教授及專委會委員、中科院長春光機(jī)所孫曉娟研究員的主持下，北京大學(xué)于彤軍教授、深圳大學(xué)武紅磊教授、中國電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所程紅娟研究員、山東大學(xué)張雷教授、奧趨光電技術(shù)（杭州）有限公司王琦琨博士、北京化工大學(xué)張紀(jì)才委員分別圍繞大尺寸AlN單晶生長、同質(zhì)/異質(zhì)外延、缺陷機(jī)制等方面進(jìn)行了專題報告；在專委會副主任委員、中科院蘇州納米所徐科研究員及于彤軍教授的主持下，國防科技大學(xué)王廣研究員、西安電子科技大學(xué)薛軍帥教授、孫曉娟委員、沙特國王科技大學(xué)李曉航教授、郭煒委員、周弘委員、閆建昌委員分別圍繞AlN基光電子器件、射頻器件、功率器件等方面進(jìn)行了專題報告。

30日上午的研討環(huán)節(jié)由沈波教授和吳亮教授共同主持，與會專家圍繞“AlN單晶生長的難點(diǎn)和核心問題”、“AlN缺陷、紫外透過率等關(guān)鍵指標(biāo)的表征、調(diào)控理論和方法”、“AlN單晶襯底在紫外光電、射頻及功率器件領(lǐng)域的應(yīng)用前景與瓶頸”、“AlN外延生長以及N/P型摻雜”等議題展開了熱烈而深入的討論。討論持續(xù)近四個小時，研討氛圍濃郁，觀點(diǎn)碰撞激烈，為AlN技術(shù)的發(fā)展方向提供了諸多建設(shè)性思路。

最后，沈波教授對會議進(jìn)行了總結(jié)。他高度評價了本次會議取得的成效，通過召開本次專題研討會明確了AlN半導(dǎo)體面臨的關(guān)鍵問題以及未來的發(fā)展目標(biāo)，希望加強(qiáng)產(chǎn)學(xué)研合作，共同推進(jìn)我國超寬禁帶AlN半導(dǎo)體材料和器件創(chuàng)新研究與產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

本次會議得到了藍(lán)河科技（紹興）有限公司、連科半導(dǎo)體有限公司的大力支持。會議期間，與會專家參觀并了解了奧趨光電技術(shù)（杭州）有限公司的產(chǎn)品技術(shù)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展。