6月13日，應國家第三代半導體技術創新中心深圳綜合平臺/深圳平湖實驗室萬玉喜主任、第四代半導體首席科學家/新加坡工程院院士張道華教授等專家邀請，奧趨光電技術（杭州）有限公司創始人吳亮博士赴國家第三代半導體技術創新中心深圳綜合平臺/深圳平湖實驗室開展訪問交流與合作洽談。
吳亮博士首先與來自國家第三代半導體技術創新中心深圳綜合平臺、深圳平湖實驗室的十余位專家學者、科研人員進行了座談，并隨后發表了題為“第四代半導體AlN單晶生長技術及其應用前景展望”的交流報告，詳細介紹了奧趨光電在超寬禁帶半導體氮化鋁單晶PVT生長模擬仿真軟件、長晶裝備及生長工藝、襯底加工制備及大規模化量產等領域的最新進展及未來規劃，并分享了全球氮化鋁材料在外延生長、光電器件、射頻器件及功率電子等領域的最新應用和面臨的挑戰。報告結束后，與會科研人員圍繞氮化鋁單晶外延生長N型/P型摻雜、分布式梯度極化摻雜（DPD）、器件歐姆接觸優化、功率電子/射頻器件結構設計與優化等眾多熱點問題進行了深入的交流與熱烈討論。萬玉喜主任在討論中指出，氮化鋁具有極其優異的材料特性，不僅在紫外光電領域擁有先天優勢，在功率半導體方面更具有廣泛的應用前景，是最具大規模產業化應用前景的超寬禁帶半導體材料之一；奧趨光電是全球氮化鋁材料領域的知名企業，而深圳平湖實驗室也正在打造世界領先的國家級第三代及第四代功率半導體科研與中試平臺，雙方在材料制備、外延生長和各類功率、射頻器件設計開發等環節擁有廣泛的合作契機；作為國內超寬禁帶半導體領域的代表性團隊，希望雙方能強強聯合、相互支持，實現協同創新，共同快速推進中國氮化鋁材料和器件產業化進步與應用。張道華院士對奧趨光電在氮化鋁材料領域持續攻關并取得豐碩成果給予高度評價，期待奧趨光電再接再厲，快速實現氮化鋁單晶襯底的大批量量產；深圳平湖實驗室第四代半導體研究團隊擁有來自國內外的專家/學者共二十余人，建有包括超寬和超窄帶隙半導體理論研究、外延生長、器件模擬、器件制備及產品開發在內的完整研發和產業化中試平臺；氮化鋁基器件是第四代半導體團隊重點布局方向，希望雙方發揮各自優勢，在氮化鋁材料外延生長、器件研發和產業化領域協同發展。吳亮博士對萬玉喜主任、張道華院士的邀請表示感謝，對平湖實驗室集聚學術和產業界創新力量，以市場需求為牽引，服務關鍵核心技術攻關，打通寬禁帶/超寬禁帶半導體全產業鏈的服務理念和運營模式給予了高度認可，對實驗室成立以來在科研和平臺建設等方面所取得的成績表達了由衷贊賞，并希望與平湖實驗室在充分發揮各自優勢的基礎上緊密配合，共同推進氮化鋁材料和功率半導體器件技術的研發和市場化應用。最后，雙方就下一步的多層次合作深入交換意見，并達成了廣泛共識。
交流報告會結束后，吳亮博士在平湖實驗室公共政府部/科技發展部宋子杰部長等的帶領下參觀了平湖實驗室多個先進功率半導體課題組、第三代/四代半導體研發及中試平臺、核心裝備及零部件和材料驗證平臺、 材料研究及器件測試與認證共享服務平臺及科技服務共享平臺等，對平湖實驗室高強度投入、高標準建設、嚴格管理制度和高素質人才隊伍留下了深刻印象。
關于深圳平湖實驗室
深圳平湖實驗室成立于2022年8月，是由深圳市科技創新委員會和南方科技大學共同舉辦的事業法人單位。實驗室以成為世界領先的第三代及第四代功率半導體創新、中試及共享平臺為愿景，專注于第三代、第四代半導體的科學研究、技術開發、技術服務及成果轉化。下設多個先進功率半導體課題組，面向新能源汽車與軌道交通電驅動、新型電力系統、新一代通信和數據中心的基礎設施供電、消費類電子和通用電源、特種裝備等五大應用方向開展前沿探索、應用基礎研究、重大技術攻關及產業應用示范、知識產權創造和科技成果轉移轉化工作。
平湖實驗室配套建設第三代半導體工藝及器件研發中試線，形成8英寸SiC、GaN芯片研發、核心裝備及零部件和材料驗證、材料研究及器件測試與認證共享服務、科技服務共享平臺四大技術平臺。實驗室采用開放共享模式，積極推動國內外科技合作與學術交流，建設全國性的公共、開放、共享平臺，促進科技資源的高效利用。旨在建設世界領先的功率半導體領域創新高地，培養世界級人才，產出一流科研成果；落實國產化設備驗證、材料驗證，打造全流程國產化產線并持續牽引、推動國產設備和材料的進步和趕超；整合高等院校、科研院所、行業龍頭企業的科研基礎和技術創新力量，以市場需求為牽引，突破第三代半導體產業鏈環節的共性難題和關鍵技術，不斷驅動創新，服務第三代半導體全產業鏈。
關于國家第三代半導體技術創新中心深圳綜合平臺
根據科技部統一部署，深圳市從2021年開始承接國家第三代半導體技術創新中心深圳綜合平臺的建設任務，于2022年設立深圳平湖實驗室作為建設和運營主體，并于2024年正式建成。平臺以“一體統籌規劃、多地分布布局、協同創新聯動”為建設原則，聚焦第三代半導體領域器件物理研究、材料研究、技術開發、產品中試，第四代半導體材料器件前沿研究，致力于打造世界領先的第三、第四代功率半導體創新、中試及共享平臺。
國家第三代半導體技術創新中心深圳綜合平臺作為寬禁帶半導體領域中立性科研機構，覆蓋了從基礎研發到工程化應用各環節。平臺立足深圳及大灣區，協同國家第三代半導體技術創新中心的其他平臺、全國高等院校、科研機構及企業的優質資源，持續提升創新能力、保障人才供給。以前瞻性技術為引領，大力推動第三代半導體關鍵技術攻關、供應安全和成果產業化。目前平臺已布局1200-6500V SiC MOSFET及15-1200V GaN HEMT產品及工藝平臺，積極構建從材料制備、芯片設計、晶圓制造到封裝測試的完整產業鏈，與上下游緊密合作，推動協同發展，形成生態系統。同時，積極參與行業標準制定，與國內外高校、研究機構深度合作探索更多應用場景；在質量控制方面建立了完善的質量控制體系，為半導體產品的高質量生產提供堅實的保障。
深圳綜合平臺是粵港澳大灣區乃至全國在第三代半導體技術創新方面的核心力量，有助于深圳打造具有全球影響力的半導體技術創新中心、中試轉化集聚中心、產業合作促進中心，支撐國家重大戰略需求，在重點關鍵核心技術領域實現突破，重塑產業技術格局，將持續推動我國半導體產業高水平、高質量發展。
關于奧趨光電
奧趨光電是由海歸博士團隊、半導體領域頂尖技術專家領銜，于2016年5月創立的高新技術、創新型企業，總部位于浙江省杭州市。奧趨光電核心專注于第三代/第四代超寬禁帶半導體氮化鋁晶圓襯底材料、藍寶石基/硅基/碳化硅基氮化鋁/氮化鋁鈧薄膜模板、全自動氮化鋁PVT氣相沉積爐及其相關產品的研發、制造與銷售，核心產品被列入《中國制造2025》關鍵戰略新材料與裝備目錄，是制備深紫外LED芯片、5G射頻前端濾波器、MEMS壓電傳感器等各類紫外發光器件、高溫/高頻射頻器件、高頻/高功率電子及激光器件的理想襯底/壓電材料。
奧趨光電經過多年的高強度研發投入，于2019年成功開發出全球最大，直徑60mm的氮化鋁單晶及晶圓，并于2022年開發出直徑達76mm的鋁極性氮化鋁單晶及3英寸晶圓樣片，奧趨光電同時也是全球首家藍寶石基氮化鋁薄膜模板大批量制造商。目前可向客戶提供2英寸及以下尺寸高質量氮化鋁單晶襯底、2/4/6英寸藍寶石基/硅基/碳化硅基氮化鋁、氮化鋁鈧薄膜模板、氮化鋁單晶氣相沉積爐及熱處理設備等產品，同時向客戶及合作伙伴提供從設備設計、熱場設計、熱場模擬仿真技術開發、咨詢及生長工藝優化到晶圓制程等全環節的完整工藝解決方案與專業技術服務。截止2025年5月，共申請/授權國際、國內專利60余項，是全球范圍內本領域專利數量最多的企業之一，被公認為本領域全球技術的領導者。