2025年5月15-16日，由浙江大學杭州國際科創中心、半導體在線主辦，杭州鎵仁半導體有限公司、奧趨光電技術（杭州）有限公司、寧波晶鉆科技股份有限公司承辦的2025年第四代半導體技術研討會在杭州成功舉行，近400人國內外專業人員報名參會。北京大學沈波教授、山東大學陶緒堂教授、中國電子科技集團第十三研究所馮志紅首席科學家、中山大學王鋼教授、九峰山實驗室魏強民首席專家、鄭州大學單崇新教授、哈爾濱工業大學朱嘉琦教授、西安交通大學王宏興教授、奧趨光電創始人吳亮博士、南京大學葉建東教授等專家出席會議并作大會報告。

2025年第四代半導體技術研討會開幕式

奧趨光電技術（杭州）有限公司作為會議承辦方之一，同時也是具備第四代半導體AlN單晶襯底全套制程能力和小批量制造能力的行業領軍企業，由公司創始人、首席執行官吳亮博士代表出席會議并作大會報告，同時在現場設展。

本屆會議設氧化鎵、金剛石、氮化鋁三個分論壇，與會專家圍繞第四代半導體晶體生長與加工、薄膜及其外延技術、功率及光電器件、相關設備等進行了深入研討，并就行業前沿動態和重點、熱點問題展開了廣泛交流。其中氮化鋁分論壇由奧趨光電吳亮博士召集并和北京大學于彤軍教授共同主持，中國電子信息產業發展研究院集成電路研究所解楠副主任、深圳大學武紅磊教授、北京化工大學張紀才教授、北京大學于彤軍教授、大連理工大學梁紅偉教授、中國電子科技集團第四十六研究所程紅娟研究員、山東大學張雷教授、沙特阿卜杜勒國王科技大學李曉航教授等專家學者發表特邀報告。

本屆第四代半導體技術研討會對氮化鋁、氧化鎵、金剛石等材料、器件制備技術及其應用的最新進展和面臨的挑戰進行了全面系統地總結，為超寬禁帶半導體各領域的技術攻關和產業布局指明了方向，將引領產學研用協同和產業鏈融合，推動我國第四代半導體行業的技術進步和產業化進程。

關于第四代半導體技術研討會

在半導體領域中，材料創新關乎著半導體器件的性能突破和提升。目前，第三代半導體材料（例如碳化硅、氮化鎵等）已經深入發展并得到廣泛應用，而以氧化鎵、金剛石和氮化鋁等為代表的第四代半導體材料也在逐步嶄露頭角，呈現初蓬勃發展態勢。相比第三代半導體材料，第四代半導體禁帶寬度更大，具備高擊穿電場、高電子遷移率、高熱導率等特性，為半導體器件性能提升、降低功耗、抗輻射等方面提供了新的可能，在電力電子、光電子、微波電子等領域大有可為。不過，因優異性能和廣闊市場發展前景備受矚目的第四代半導體發展面臨的挑戰也不少，比如大尺寸單晶制備難、成本高、工藝復雜、與現有半導體材料工藝的兼容等都是亟待解決問題。面對如此半導體發展機遇，國內外科研機構和企業都在加大對第四代半導體材料的研發力度。

其中杭州鎵仁半導體通過對自主研發的氧化鎵專用晶體生長設備進行迭代優化升級，采用垂直布里奇曼（VB）法成功生長出了4英寸氧化鎵單晶。這是國內首次在該項技術上實現新的突破，令人矚目。不僅如此，該型VB法氧化鎵長晶設備及工藝包也已經全面開放銷售，無形之中提速了第四代半導體材料的商業化應用進程。在氮化鋁單晶襯底方面，美國Crystal IS（旭化成全資子公司）相繼成功開發出3英寸、4英寸單晶襯底樣片，國際上各類高性能氮化鋁單晶基射頻/功率器件與激光器件快速發展，國內奧趨光電技術（杭州）有限公司也分別成功開發出3英寸氮化鋁單晶、超高深紫外光透過率2英寸單晶襯底，為其商業化及未來規模化應用奠定了良好基礎。國際視野之下，全球范圍的“半導體材料競賽”已然開始，對國家核心競爭力以及國民基礎性產業都有深遠意義，錨定其產業化的先發時機至關重要。

為促進我國第四代半導體學術、技術的交流合作和產業發展，浙江大學杭州國際科創中心、半導體在線、杭州鎵仁半導體有限公司、奧趨光電技術（杭州）有限公司和寧波晶鉆科技股份有限公司共同組織召開了本屆第四代半導體技術研討會，旨在匯集全國高校、科研機構、企業和政府部門的本領域專業人士，開展廣泛交流和深入探討，共同推動我國第四代半導體材料和相關器件的技術突破和產業化進程。

關于奧趨光電

奧趨光電是由海歸博士團隊、半導體領域頂尖技術專家領銜，于2016年5月創立的高新技術、創新型企業，總部位于浙江省杭州市。奧趨光電核心專注于第三代/第四代超寬禁帶半導體氮化鋁晶圓襯底材料、藍寶石基/硅基/碳化硅基氮化鋁/氮化鋁鈧薄膜模板、全自動氮化鋁PVT氣相沉積爐及其相關產品的研發、制造與銷售，核心產品被列入《中國制造2025》關鍵戰略新材料與裝備目錄，是制備深紫外LED芯片、5G射頻前端濾波器、MEMS壓電傳感器等各類紫外發光器件、高溫/高頻射頻器件、高頻/高功率電子及激光器件的理想襯底/壓電材料。

奧趨光電經過多年的高強度研發投入，于2019年成功開發出全球最大，直徑60mm的氮化鋁單晶及晶圓，并于2022年開發出直徑達76mm的鋁極性氮化鋁單晶及3英寸晶圓樣片，奧趨光電同時也是全球首家藍寶石基氮化鋁薄膜模板大批量制造商。目前可向客戶提供2英寸及以下尺寸高質量氮化鋁單晶襯底、2/4/6英寸藍寶石基/硅基/碳化硅基氮化鋁、氮化鋁鈧薄膜模板、氮化鋁單晶氣相沉積爐及熱處理設備等產品，同時向客戶及合作伙伴提供從設備設計、熱場設計、熱場模擬仿真技術開發、咨詢及生長工藝優化到晶圓制程等全環節的完整工藝解決方案與專業技術服務。截止2024年12月，共申請/授權國際、國內專利60余項，是全球范圍內本領域專利數量最多的企業之一，被公認為本領域全球技術的領導者。