行業新聞
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行業 | 康奈爾大學基于單晶襯底實現高鋁組分n型AlGaN創紀錄低阻非合金歐姆接觸
譯自原文Low Resistance Non-Alloyed Ohmic Contacts to High Al Composition n-type AlGaN 原文鏈接htt...
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行業 | 脈沖MOCVD有望提升AlN基功率器件性能
氮化鋁（AlN）作為電力電子材料具有巨大潛力，其關鍵指標——巴利加優值（Baliga figure of merit）超過所有其他超寬禁帶半導體。然而，器件性能受限于與摻雜相關的困難，包括高電離能以及...
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行業 | 康奈爾大學：氮化鋁晶體管推動射頻電子器件向下一代演進
康奈爾大學的研究人員開發出一種新型晶體管架構，該技術有望重塑高功率無線電子產品的設計范式，同時能緩解關鍵半導體材料的供應鏈風險。這種名為XHEMT的器件在氮化鋁體單晶襯底上生長了超薄氮化鎵層。氮化鋁作...
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行業 | 瑞典林雪平大學等在AlN單晶襯底上制備出創紀錄遷移率、薄溝道AlGaN/GaN/AlN雙異質結HEMT器件
本研究開發了一種可控碳摻雜的兩步生長工藝，利用熱壁金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）技術，成功在AlN單晶襯底上實現了150 nm和50 nm厚GaN溝道層的完全融合生長。所制備的HEMT器件展現出國...
閱讀全文.jpg/VCG211193120636%20(1)__600x313-600x300.jpg "行業 | 寧波材料所等在GaN/AlN高質量異質外延及其AlN背勢壘HEMT器件領域取得進展")
行業 | 寧波材料所等在GaN/AlN高質量異質外延及其AlN背勢壘HEMT器件領域取得進展
AlN背勢壘高電子遷移率晶體管（HEMTs）通過在AlN背勢壘上生長超薄GaN溝道層，在高壓、高頻應用中展現出巨大潛力。然而，由于GaN與AlN之間存在晶格失配和熱失配，需對薄GaN溝道層的生長模式進...
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行業 | 北卡羅納州立大學基于AlN單晶襯底實現擊穿場強達12.3 MV/cm、理想因子低至1.1的創紀錄性能AlN SBD器件
本研究通過在硅摻雜氮化鋁（Si:AlN）中引入點缺陷和擴展缺陷調控機制，有效抑制了載流子補償效應，成功實現了300 cm2/(V·s)的高電子遷移率和26 Ω·cm的低電阻率。基于此摻雜技術，我們設計...
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行業 | 北京大學在AlN低溫MOCVD Si外延摻雜取得突破性進展
低溫摻雜為調控氮化鋁（AlN）導電性提供了一種極具潛力的解決方案。作為下一代光電子和電子器件的理想候選材料，AlN的高質量生長通常需要高溫工藝，而金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）是目前主流的生長方法...
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行業 | HexaTech推出面向功率/射頻器件的N-polar AlN單晶襯底產品
美國HexaTech公司近日宣布推出了基于優化（加工）工藝的N-polar AlN單晶襯底。相較于常規的Al-polar AlN單晶襯底器件外延生長工藝，基于高質量N-polar 表面制備的器件可帶來...
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行業 | 全球半導體硅片巨頭Siltronic、IKZ等強強聯合推進4英寸AIN單晶襯底產業化
半導體領域的三大領軍機構——德國萊布尼茨晶體生長研究所（IKZ）、半導體設備制造商PVA TePla AG與全球半導體硅片巨頭世創電子材料公司（Siltronic AG, FWB:WAF）近日宣布開展...
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