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行業(yè)新聞
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封面.png/官網(wǎng)封面__600x373-600x300.png "行業(yè) | 亞利桑那州立大學(xué)基于AlN單晶襯底成功開(kāi)發(fā)出高電流密度準(zhǔn)垂直SBD器件")
行業(yè) | 亞利桑那州立大學(xué)基于AlN單晶襯底成功開(kāi)發(fā)出高電流密度準(zhǔn)垂直SBD器件
超寬禁帶半導(dǎo)體因其寬帶隙、高臨界擊穿電場(chǎng)和優(yōu)異的化學(xué)穩(wěn)定性，在高功率、高電壓、高效率電力電子與射頻電子器件以及惡劣環(huán)境工作能力方面展現(xiàn)出巨大潛力，近年來(lái)引起了廣泛的研究興趣。在常見(jiàn)超寬禁帶半導(dǎo)體（如G...
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行業(yè) | UCSB等聯(lián)合團(tuán)隊(duì)采用組分漸變實(shí)現(xiàn)創(chuàng)紀(jì)錄低歐姆接觸電阻AlGaN場(chǎng)效應(yīng)晶體管
為實(shí)現(xiàn)適用于高頻、高功率場(chǎng)景的超寬禁帶AlGaN晶體管，必須盡可能降低高遷移率導(dǎo)電溝道的接入電阻，以滿足高頻工作需求。AlGaN材料相對(duì)較低的電子親和能對(duì)其歐姆接觸的形成構(gòu)成嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。本研究報(bào)道了在極...
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行業(yè) | 加州大學(xué)首次采用PAMBE制備出N極性高鋁組分AlGaN溝道HEMT器件
本文展示了一種在氮化鋁單晶襯底上制備的N極性Al0.65Ga0.35N/Al0.85Ga0.15N高電子遷移率晶體管。外延層采用等離子體輔助分子束外延技術(shù)生長(zhǎng)，并采用了3 nm原位GaN蓋層以防止Al...
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行業(yè) | 亞利桑那州立大學(xué)在單晶AlN上實(shí)現(xiàn)橫向肖特基二極管性能突破
在AlN）單晶襯底上制備了具有頂部漸變AlGaN接觸層的橫向AlN肖特基勢(shì)壘二極管（AlN基SBD）。其歐姆接觸表現(xiàn)出近乎線性的電學(xué)特性，接觸電阻率低至1.54 × 10?3 Ω·cm2。該器件展現(xiàn)出...
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行業(yè) | 美國(guó)桑迪亞國(guó)家實(shí)驗(yàn)室在AlN基AlGaN射頻與橫向功率晶體管領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展
超寬禁帶（UWBG）AlGaN合金（Al組分 xAl > 0.50）因其固有的高臨界電場(chǎng)強(qiáng)度，以及由此產(chǎn)生的、優(yōu)于當(dāng)前GaN基高電子遷移率晶體管（HEMT）技術(shù)的約翰遜優(yōu)值（∝ Ecrit * vsa...
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行業(yè) | 全球射頻巨頭Qorvo與Soctera合作推出工業(yè)化生產(chǎn)的AlN/GaN/AlN HEMT晶體管
美國(guó)Soctera公司與射頻巨頭Qorvo公司的研究人員展示了一種在射頻代工工廠中制造的高電子遷移率晶體管（HEMT），其氮化鎵（GaN）溝道層夾在超寬帶隙氮化鋁（AlN）頂部和背部勢(shì)壘/緩沖層之間。
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行業(yè) | 康奈爾大學(xué)基于單晶襯底實(shí)現(xiàn)高鋁組分n型AlGaN創(chuàng)紀(jì)錄低阻非合金歐姆接觸
譯自原文Low Resistance Non-Alloyed Ohmic Contacts to High Al Composition n-type AlGaN 原文鏈接htt...
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行業(yè) | 日本NTT成功開(kāi)發(fā)全球首款用于后5G通信的AlN基高頻晶體管
日本NTT成功開(kāi)發(fā)全球首款用于后5G通信的AlN基高頻晶體管 – 拓展氮化鋁應(yīng)用領(lǐng)域：從功率轉(zhuǎn)換到無(wú)線通信
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行業(yè) | 脈沖MOCVD有望提升AlN基功率器件性能
氮化鋁（AlN）作為電力電子材料具有巨大潛力，其關(guān)鍵指標(biāo)——巴利加優(yōu)值（Baliga figure of merit）超過(guò)所有其他超寬禁帶半導(dǎo)體。然而，器件性能受限于與摻雜相關(guān)的困難，包括高電離能以及...
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行業(yè) | 康奈爾大學(xué)：氮化鋁晶體管推動(dòng)射頻電子器件向下一代演進(jìn)
康奈爾大學(xué)的研究人員開(kāi)發(fā)出一種新型晶體管架構(gòu)，該技術(shù)有望重塑高功率無(wú)線電子產(chǎn)品的設(shè)計(jì)范式，同時(shí)能緩解關(guān)鍵半導(dǎo)體材料的供應(yīng)鏈風(fēng)險(xiǎn)。這種名為XHEMT的器件在氮化鋁體單晶襯底上生長(zhǎng)了超薄氮化鎵層。氮化鋁作...
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