奧趨光電祝您新春快樂，馬年大吉
2月4日，臨平區委書記周徐胤同志來訪奧趨光電，開展指導調研和服務工作，區委辦、臨平經開區相關負責人等陪同。奧趨光電首席執行官吳亮、綜合管理部總經理陳鵬等進行了熱情接待。
2026年1月21-23日，第40屆NEPCON JAPAN電子科技博覽會在日本東京有明國際展覽中心隆重舉行。作為全球極少數幾家具備高質量、大尺寸氮化鋁單晶襯底全套制程和批量制造能力的領先技術企業之一...
——2英寸AlN襯底P級標準片僅需25,000元/片，同等投入實現雙倍研發效能，加速超寬禁帶半導體產業化
日前，奧趨光電技術（杭州）有限公司正式通過認定，獲評國家高新技術企業。證書已于近日下達。
奧趨光電祝您新春快樂，馬年大吉
2月4日，臨平區委書記周徐胤同志來訪奧趨光電，開展指導調研和服務工作，區委辦、臨平經開區相關負責人等陪同。奧趨光電首席執行官吳亮、綜合管理部總經理陳鵬等進行了熱情接待。
2026年1月21-23日，第40屆NEPCON JAPAN電子科技博覽會在日本東京有明國際展覽中心隆重舉行。作為全球極少數幾家具備高質量、大尺寸氮化鋁單晶襯底全套制程和批量制造能力的領先技術企業之一，奧趨光電技術（杭州）有限公司連續第三屆亮相NEPCON JAPAN，本次展出了...
——2英寸AlN襯底P級標準片僅需25,000元/片，同等投入實現雙倍研發效能，加速超寬禁帶半導體產業化
日前，奧趨光電技術（杭州）有限公司正式通過認定，獲評國家高新技術企業。證書已于近日下達。
2026，馬踏新程，勢啟未來！
譯自原文Low Resistance Non-Alloyed Ohmic Contacts to High Al Composition n-type AlGaN 原文鏈接https://arxiv.org/abs/2512.08871v1, su...
日本NTT成功開發全球首款用于后5G通信的AlN基高頻晶體管 – 拓展氮化鋁應用領域：從功率轉換到無線通信
氮化鋁（AlN）作為電力電子材料具有巨大潛力，其關鍵指標——巴利加優值（Baliga figure of merit）超過所有其他超寬禁帶半導體。然而，器件性能受限于與摻雜相關的困難，包括高電離能以及自補償缺陷的形成。
康奈爾大學的研究人員開發出一種新型晶體管架構，該技術有望重塑高功率無線電子產品的設計范式，同時能緩解關鍵半導體材料的供應鏈風險。這種名為XHEMT的器件在氮化鋁體單晶襯底上生長了超薄氮化鎵層。氮化鋁作為超寬禁帶半導體材料，具有缺陷密度低、耐高壓高溫、可減少電能損耗等優異特性。
本研究開發了一種可控碳摻雜的兩步生長工藝，利用熱壁金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）技術，成功在AlN單晶襯底上實現了150 nm和50 nm厚GaN溝道層的完全融合生長。所制備的HEMT器件展現出國際領先的二維電子氣（2DEG）遷移率：150 nm厚溝道器件的遷移率達1805 ...
AlN背勢壘高電子遷移率晶體管（HEMTs）通過在AlN背勢壘上生長超薄GaN溝道層，在高壓、高頻應用中展現出巨大潛力。然而，由于GaN與AlN之間存在晶格失配和熱失配，需對薄GaN溝道層的生長模式進行精確調控。本研究采用低溫（LT）和高溫（HT）兩步生長法調控GaN溝道層，通過...
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